有机场效应晶体管（ofet）初由j.e. lilienfeld提出，他于1930年获得了他的想法的专利。他提出场效应晶体管表现为在源极和漏极之间具有导电沟道的电容器。栅电极上的施加电压控制流过系统的电荷载流子的量。
个场效应晶体管是由kahng和atalla在1960年使用金属氧化物半导体（mosfet）设计和制造的。然而，近年来，材料和制造成本上升以及公众对更环保的电子材料的兴趣支持了有机电子产品的发展。1987年， koezuka及其同事报道了种基于噻吩分子聚合物的有机场效应晶体管。噻吩聚合物是一种能够传导电荷的共轭聚合物，无需使用昂贵的金属氧化物半导体。另外，已经显示其他共轭聚合物具有半导体特性。ofet设计在过去几十年中也有所改善。许多ofet都是基于薄膜晶体管（tft）模型设计的，它允许器件在设计中使用导电性较差的材料。在过去几年中对这些模型的改进已经实现了场效应迁移率和开关电流比。
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